Ваше сообщение отправлено. Мы Вам перезвоним!
Вторая индустриализация России

Перезвоните мне!

Закрыть
Главная » Прорывные технологии » Производство компьютеров, электронных и оптических изделий » IGBT транзистор — биполярный транзистор с изолированным затвором

IGBT транзистор — биполярный транзистор с изолированным затвором

  • Array

IGBT транзистор, управляемый низким уровенем мощности.

 

Звони: +7-908-918-03-57 или Написать нам

 

Описание:

IGBT транзистор — биполярный транзистор с изолированным затвором, сочетающий два транзистора в одной полупроводниковой структуре: биполярный (образующий силовой канал) и полевой (образующий канал управления), имеет выходные характеристики биполярного транзистора (большое допустимое рабочее напряжение) и входные характеристики полевого транзистора (минимальные затраты на управление).

IGBT транзистор имеет три вывода:  G – «затвор»,  C – «коллектор»,  E – «эмиттер»:

 

IGBT транзистор

 

Силовые модули IGBT и MOSFET могут быть взаимозаменяемыми, но для высокочастотных низковольтных каскадов обычно применяют транзисторы MOSFET, а в мощных высоковольтных – IGBT.

 

Принцип работы:

Силовой IGBT транзистор управляется с помощью напряжения, подаваемого на управляемый электрод-«затвор», который изолирован от силовой цепи. После подачи положительного напряжения между затвором и стоком происходит открытие полевого транзистора (формируется n-канал между истоком и стоком). Движение зарядов из области n в область p приводит к открытию биполярного транзистора и возникновению тока от эмиттера к коллектору. Таким образом, полевой транзистор управляет работой биполярного.

 

Преимущества:

- высокая плотность тока;

- малые статические и динамические потери;

- стойкость к воздействию короткого замыкания;

- высокое входное сопротивление, низкий уровень управляющей мощности;

- низкое значение остаточного напряжения во включенном состоянии;

- малые потери в открытом состоянии при больших токах и высоких напряжениях;

- характеристики переключения и проводимость биполярного транзистора;

- управление напряжением. Отсутствие тока управления в статических режимах и общее низкое потребление по цепям питания позволяет отказаться от гальванически изолированных схем управления на дискретных элементах и создать интегральные схемы ‐ драйверы;

- применение IGBT — модулей в системах управления тяговыми двигателями позволяет (по сравнению с тиристорными устройствами) обеспечить высокий КПД, высокую плавность хода машины и возможность применения рекуперативного торможения практически на любой скорости.

 

Применение:

- при работе с высокими напряжениями (более 1000 В), высокой температурой (более 100 °C) и высокой выходной мощностью (более 5 кВт);

- в схемах управления двигателями (при рабочей частоте менее 20 кГц), источниках бесперебойного питания (с постоянной нагрузкой и низкой частотой) и сварочных аппаратах (где требуется большой ток и низкая частота — до 50 кГц);

- инверторы, импульсные регуляторы тока, частотно-регулируемые приводы.

 



отдел технологий

г. Екатеринбург и Уральский федеральный округ

Звони: +7-908-918-03-57



или пиши нам здесь...

карта сайта

igbt транзисторы купить
драйвер проверка igbt транзисторов
управление igbt транзистором
мощные igbt mosfet транзисторы
параметры характеристики igbt транзисторов
генераторы инвертор на igbt транзисторах
биполярный полевой транзистор igbt
силовые транзисторы igbt
включение igbt транзистора
igbt транзисторы применение
подбор igbt транзисторов
как управлять igbt транзистором
защита igbt транзисторов

 

Еще технологии:

comments powered by HyperComments
Оставляя комментарии на сайте «Вторая индустриализация России», я подтверждаю, что согласен с условиями пользования сервисом HyperComments и Политикой сайта «Вторая индустриализация России» в отношении обработки персональных данных.