Нитрид-галлиевые транзисторы (GaN-транзисторы)
Нитрид-галлиевые транзисторы (GaN-транзисторы) обладают целым рядом преимуществ и улучшенных характеристик: высокое значение коэффициента полезного действия стока – более 55%, малое сопротивление в открытом состоянии, широкий рабочий диапазон частот, высокое пробивное напряжение сток–исток, меньшая масса и габаритные размеры по сравнению с традиционными, сниженное энергопотребление и пр.
Описание:
Разработаны и запущены в серийное производство современные отечественные нитрид-галлиевые транзисторы (GaN-транзисторы).
Транзистор – это радиоэлектронный компонент, полупроводниковый прибор, обычно с тремя выводами, способный от небольшого входного сигнала управлять значительным электрическим током в выходной цепи, что позволяет его использовать для усиления, генерирования, коммутации и преобразования электрических сигналов. Транзистор является одним из основных элементов подавляющего большинства электронных устройств и интегральных микросхем.
Нитрид-галлиевые транзисторы (GaN-транзисторы) предназначены для использования в области радио- и силовой электроники, в частности в новых системах радиолокации и оборудования 5G-сетей.
Они обладают целым рядом преимуществ и улучшенных характеристик.
Преимущества:
– малое сопротивление в открытом состоянии,
– широкий рабочий диапазон частот,
– высокое значение коэффициента полезного действия стока – более 55%,
– высокое пробивное напряжение сток–исток,
– меньшая масса и габаритные размеры по сравнению с традиционными,
– сниженное энергопотребление,
– обладают высоким значением удельной выходной мощности,
– имеют широкую полосу согласования,
– полностью взаимозаменяемы с импортными аналогами, что позволяет не проводить дополнительных настроек в составе аппаратуры,
– за счет своих лучших характеристик приводят к значительному уменьшению устройств, в которых они применяются, по массе и по габаритам,
– позволят значительно повысить эффективность оборудования и систем, в которых используются.