Ваше сообщение отправлено. Мы Вам перезвоним!
Вторая индустриализация России

Перезвоните мне!

Закрыть
Главная » Прорывные технологии » Производство машин и оборудования » Оборудование для выращивания кристаллов

Оборудование для выращивания кристаллов

  • Array

Оборудование для выращивания кристаллов сапфира и пр.

 

Звони: +7-908-918-03-57 или Написать нам

 

Описание:

Оборудование для выращивания кристаллов сапфира представляет собой автоматизированную электрическую печь для выращивания монокристалла сапфира модифицированным методом Киропулоса.

 

Оборудование для выращивания кристаллов

 

Кристаллы сапфира выращиваются из расплава. Веществами, наиболее подходящими для выращивания из расплава, являются те, которые плавятся без разложения, не имеют полиморфных переходов и характеризуются низкой химической активностью.

В методе Киропулоса монокристаллическая затравка, закрепленная в водоохлаждаемом кристаллодержателе, приводится в контакт с расплавом, находящимся в тигле. На этой затравке происходит постепенное нарастание кристалла в форме полусферы. При этом кристалл как бы врастает в расплав. Когда разрастающийся кристалл приближается к стенке тигля, кристаллодержатель с кристаллом поднимается на несколько мм и затем продолжается дальнейший рост до очередного разрастания до стенок тигля, последующего подъема и т. д. После каждого такого подъема на боковой поверхности кристалла остаются кольцеобразные метки — следы перехода от одного уровня к другому. Таким образом, при выращивании методом Киропулоса диаметр выращиваемого кристалла ограничивается лишь размерами тигля и практически может достигать 300 см и более.

В представленном оборудовании используется модифицированный метод Киропулоса, в котором вместо периодического подъема кристаллодержателя с растущим кристаллом осуществляется непрерывный его подъем с постоянной скоростью. Рост проводится из вольфрамового тигля в высоком вакууме, при этом применяется резистивный вольфрамовый нагреватель. Выращивание монокристаллов осуществляется непосредственно в расплаве путем плавного снижения температуры. Скорость выращивания кристалла — скорость вытягивания растущего кристалла задается заведомо низкой (порядка 0.2 мм/ч), чтобы избежать возможного образования в монокристаллах различного рода включений, блоков и малоугловых границ. Линейный характер снижения температуры и постоянство скорости вытягивания приводит к образованию кристаллов грушевидной формы с несколько повышенной плотностью пор в носовой и хвостовой зонах кристалла.

Линейка оборудования представлена электропечами «Апекс-М», выращивающие кристаллы до 30 кг, «Апекс-250»  до 60 кг, «Апекс-300»  до 85 кг, «Апекс-350»  до 100 кг.

Оборудование для выращивания кристаллов выпускается с двухфазными или трехфазными источниками питания. Трехфазный источник питания снабжен преобразователем переменного тока в постоянный. Горячие зоны могут быть металлокерамическими или чисто металлическими.

 

Преимущества:

– высокое качество продукции,

– автоматизация выращивания монокристаллов.

 

Образцы выращиваемых сапфиров:

 

Оборудование для выращивания кристаллов

 

Вес,кг Диаметр,мм Высота,мм
60 250 360
85 270 380
100 320 410

 

Технические характеристики оборудования для выращивания кристаллов:

 

Электропечи с источником питания подключенным к двум фазам сети переменного тока
и подающий на нагреватель переменный ток

Параметры и размеры

Апекс-M
(30 кг)
Апекс-250
(60 кг)

Апекс-300
(85 кг)

Апекс-350
(100 кг)

1. Параметры:
- мощность нагревателя, кВт, не более 50 70 90 100
- напряжение первичной обмотки, В 380
- частота, Гц 50 — 60
- максимальное напряжение вторичной обмотки, В 14
2. Период процесса роста (дней) 9 12 15 18
3. Энергозатраты на процесс роста, киловатт-час 7500 20000 22000 24000
4. Габаритные размеры установки:
- длина, мм 2050 2200 2200 2300
- ширина, мм 1600 1700 1700 1800
- высота, мм 2700 2900 2900 3000
- масса, кг 1500 1700 1900 2200

 

Электропечи с источником питания подключенным к трем фазам сети переменного тока
и подающим на нагреватель постоянный ток
Параметры и размеры Апекс-M
(30 кг)
Апекс-250
(60 кг)
Апекс-300
(85 кг)
Апекс-350
(100 кг)
1. Параметры:
- мощность нагревателя, кВт, не более 50 70 90 100
- напряжение первичной обмотки, В 380
- частота, Гц 50 — 60
- максимальное напряжение вторичной обмотки, В 14
2. Период процесса роста (дней) 9 12 15 18
3. Энергозатраты на процесс роста, киловатт-час 8000 20000 22000 24000
4. Габаритные размеры установки:
- длина, мм 2050 2200 2200 2300
- ширина, мм 1900 2000 2000 1800
- высота, мм 2700 2900 2900 3000
- масса, кг 1800 2500 2700 2200

 

Примечание: описание технологии на примере электропечей «Апекс».

 



отдел технологий

г. Екатеринбург и Уральский федеральный округ

Звони: +7-908-918-03-57



или пиши нам здесь...

карта сайта

затравка
выращивание монокристаллов
монокристал
монокристалл сапфира
метод киропулоса
монокристаллы алмаза
выращивание кристаллов расплава
производство затравок для выращивания монокристаллов
оборудование для выращивания кристаллов
монокристалл поваренной соли
монокристаллы кристаллизация
искусственный монокристалл
монокристалл сделать
изготовление монокристаллов
методы получения монокристаллов
выращивание монокристаллов сапфира
купить оборудование для выращивания кристаллов
оборудование выращивания алмаза
метод киропулоса википедия
метод киропулоса проток аргона
белгородский завод сапфиров монокристалл
ооо белгородский завод сапфиров монокристалл
оборудование выращивания искусственных кристаллов
выращивание монокристаллов сапфира вредно для здоровья
сущность метода киропулоса
кристаллы выращенные методом киропулоса
синтез монокристаллов алмаза на алмазной подложке
установка для выращивания монокристаллов из расплава crysten
оборудование для выращивания рубинов
кристаллодержатель
монокристаллическая затравка
оборудование для выращивания изумрудов

 

Еще технологии:

comments powered by HyperComments
Оставляя комментарии на сайте «Вторая индустриализация России», я подтверждаю, что согласен с условиями пользования сервисом HyperComments и Политикой сайта «Вторая индустриализация России» в отношении обработки персональных данных.