Оборудование для выращивания кристаллов

Оборудование для выращивания кристаллов сапфира и пр.

 

Поделиться в:

 

Оборудование для выращивания кристаллов сапфира представляет собой автоматизированную электрическую печь для выращивания монокристалла сапфира модифицированным методом Киропулоса.

 

Описание

Преимущества

Образцы выращиваемых сапфиров

 

Описание:

Оборудование для выращивания кристаллов сапфира представляет собой автоматизированную электрическую печь для выращивания монокристалла сапфира модифицированным методом Киропулоса.

Кристаллы сапфира выращиваются из расплава. Веществами, наиболее подходящими для выращивания из расплава, являются те, которые плавятся без разложения, не имеют полиморфных переходов и характеризуются низкой химической активностью.

В методе Киропулоса монокристаллическая затравка, закрепленная в водоохлаждаемом кристаллодержателе, приводится в контакт с расплавом, находящимся в тигле. На этой затравке происходит постепенное нарастание кристалла в форме полусферы. При этом кристалл как бы врастает в расплав. Когда разрастающийся кристалл приближается к стенке тигля, кристаллодержатель с кристаллом поднимается на несколько мм и затем продолжается дальнейший рост до очередного разрастания до стенок тигля, последующего подъема и т. д. После каждого такого подъема на боковой поверхности кристалла остаются кольцеобразные метки — следы перехода от одного уровня к другому. Таким образом, при выращивании методом Киропулоса диаметр выращиваемого кристалла ограничивается лишь размерами тигля и практически может достигать 300 см и более.

В модифицированном методе Киропулоса вместо периодического подъема кристаллодержателя с растущим кристаллом осуществляется непрерывный его подъем с постоянной скоростью. Рост проводится из вольфрамового тигля в высоком вакууме, при этом применяется резистивный вольфрамовый нагреватель. Выращивание монокристаллов осуществляется непосредственно в расплаве путем плавного снижения температуры. Скорость выращивания кристалла – скорость вытягивания растущего кристалла задается заведомо низкой (порядка 0.2 мм/ч), чтобы избежать возможного образования в монокристаллах различного рода включений, блоков и малоугловых границ. Линейный характер снижения температуры и постоянство скорости вытягивания приводит к образованию кристаллов грушевидной формы с несколько повышенной плотностью пор в носовой и хвостовой зонах кристалла.

 

Преимущества:

– высокое качество продукции,

– автоматизация выращивания монокристаллов.

 

Образцы выращиваемых сапфиров:

Оборудование для выращивания кристаллов

Вес,кг Диаметр,мм Высота,мм
60 250 360
85 270 380
100 320 410

 

затравка
выращивание монокристаллов
монокристал
монокристалл сапфира
метод киропулоса
монокристаллы алмаза
выращивание кристаллов расплава
производство затравок для выращивания монокристаллов
оборудование для выращивания кристаллов
монокристалл поваренной соли
монокристаллы кристаллизация
искусственный монокристалл
монокристалл сделать
изготовление монокристаллов
методы получения монокристаллов
выращивание монокристаллов сапфира
купить оборудование для выращивания кристаллов
оборудование выращивания алмаза
метод киропулоса википедия
метод киропулоса проток аргона
белгородский завод сапфиров монокристалл
ооо белгородский завод сапфиров монокристалл
оборудование выращивания искусственных кристаллов
выращивание монокристаллов сапфира вредно для здоровья
сущность метода киропулоса
кристаллы выращенные методом киропулоса
синтез монокристаллов алмаза на алмазной подложке
установка для выращивания монокристаллов из расплава crysten
оборудование для выращивания рубинов
кристаллодержатель
монокристаллическая затравка
оборудование для выращивания изумрудов