Оборудование для выращивания кристаллов сапфира и пр.
Оборудование для выращивания кристаллов сапфира представляет собой автоматизированную электрическую печь для выращивания монокристалла сапфира модифицированным методом Киропулоса.
Описание:
Оборудование для выращивания кристаллов сапфира представляет собой автоматизированную электрическую печь для выращивания монокристалла сапфира модифицированным методом Киропулоса.
Кристаллы сапфира выращиваются из расплава. Веществами, наиболее подходящими для выращивания из расплава, являются те, которые плавятся без разложения, не имеют полиморфных переходов и характеризуются низкой химической активностью.
В методе Киропулоса монокристаллическая затравка, закрепленная в водоохлаждаемом кристаллодержателе, приводится в контакт с расплавом, находящимся в тигле. На этой затравке происходит постепенное нарастание кристалла в форме полусферы. При этом кристалл как бы врастает в расплав. Когда разрастающийся кристалл приближается к стенке тигля, кристаллодержатель с кристаллом поднимается на несколько мм и затем продолжается дальнейший рост до очередного разрастания до стенок тигля, последующего подъема и т. д. После каждого такого подъема на боковой поверхности кристалла остаются кольцеобразные метки — следы перехода от одного уровня к другому. Таким образом, при выращивании методом Киропулоса диаметр выращиваемого кристалла ограничивается лишь размерами тигля и практически может достигать 300 см и более.
В модифицированном методе Киропулоса вместо периодического подъема кристаллодержателя с растущим кристаллом осуществляется непрерывный его подъем с постоянной скоростью. Рост проводится из вольфрамового тигля в высоком вакууме, при этом применяется резистивный вольфрамовый нагреватель. Выращивание монокристаллов осуществляется непосредственно в расплаве путем плавного снижения температуры. Скорость выращивания кристалла – скорость вытягивания растущего кристалла задается заведомо низкой (порядка 0.2 мм/ч), чтобы избежать возможного образования в монокристаллах различного рода включений, блоков и малоугловых границ. Линейный характер снижения температуры и постоянство скорости вытягивания приводит к образованию кристаллов грушевидной формы с несколько повышенной плотностью пор в носовой и хвостовой зонах кристалла.
Преимущества:
– высокое качество продукции,
– автоматизация выращивания монокристаллов.
Образцы выращиваемых сапфиров:
Вес,кг | Диаметр,мм | Высота,мм |
60 | 250 | 360 |
85 | 270 | 380 |
100 | 320 | 410 |
затравка
выращивание монокристаллов
монокристал
монокристалл сапфира
метод киропулоса
монокристаллы алмаза
выращивание кристаллов расплава
производство затравок для выращивания монокристаллов
оборудование для выращивания кристаллов
монокристалл поваренной соли
монокристаллы кристаллизация
искусственный монокристалл
монокристалл сделать
изготовление монокристаллов
методы получения монокристаллов
выращивание монокристаллов сапфира
купить оборудование для выращивания кристаллов
оборудование выращивания алмаза
метод киропулоса википедия
метод киропулоса проток аргона
белгородский завод сапфиров монокристалл
ооо белгородский завод сапфиров монокристалл
оборудование выращивания искусственных кристаллов
выращивание монокристаллов сапфира вредно для здоровья
сущность метода киропулоса
кристаллы выращенные методом киропулоса
синтез монокристаллов алмаза на алмазной подложке
установка для выращивания монокристаллов из расплава crysten
оборудование для выращивания рубинов
кристаллодержатель
монокристаллическая затравка
оборудование для выращивания изумрудов