Ваше сообщение отправлено. Мы Вам перезвоним!
Вторая индустриализация России

Перезвоните мне!

Закрыть

Гетеролазер

  • Array

Гетеролазер.

 



 

Гетеролазер в отличие от традиционного лазера, выполненного из однородного материала, имеет в десятки раз меньшую пороговую плотность тока и в больший КПД. Для генерации светового излучения требуются малые значения тока накачки.

 


Гетеролазер:

Гетеролазер – это полупроводниковый лазер, работающий на основе гетероструктур.

Впервые гетеролазер создан в СССР в 1968 г. на гетероструктуре GaAs – (Al, Ga)As Ж.И. Алфёровым с сотрудниками.

Гетеролазер на основе гетероструктуры GaAs – (Al, Ga)As представляет собой тип инжекционного гетеролазера.

Он состоит из нескольких слоев:

– самый нижний слой – электрод в виде полоски, к которому подается отрицательные заряды (в виде электронов),

– зеркальный слой из GaAs,

– слой оболочки из AlхGa1-хAs,

– активный слой из GaAs,

– слой оболочки из AlхGa1-хAs,

– зеркальный слой подложки из GaAs,

– самый верхний слой – положительный электрод.

Гетеролазер

Рис. 1. Схема устройства гетеролазера

@ http://100-bal.ru/fizika/222407/index.html

GaAs представляет собой полупроводник с высоким квантовым выходом излучательной рекомбинации. Поэтому активный слой из GaAs является активной средой гетеролазера. Активный слой из GaAs является волноводом, на выходе которого имеет место мощное, однородное и остронаправленное излучение. Спектр излучения такого гетеролазера очень узкий и в основном содержит одну моду.

Слои оболочки, выполненные из AlхGa1-хAs, имеют энергию запрещенной зоны, которая выше чем энергия запрещенной зоны активного слоя из GaAs. Поэтому стимулированные фотоны удерживаются только в активной области и не переходят в соседние слои. Мощность излучения гетеролазера при том одном и том же токе накачки также больше, чем в простейшем лазере. Показатель преломления света активной области из GaAs больше, чем у соседних гетерослоев оболочки из AlхGa1-хAs, поэтому фотоны полностью отражаются от границ активной зоны.

Спектр излучения гетеролазера на основе гетероструктуры GaAs – (Al, Ga)As равен ширине запрещённой зоны активного слоя, выполненного из  GaAs, и составляет диапазон от 0,4 мкм до нескольких десятков микрометров. Гетеролазеры позволяют генерировать излучение мощностью от долей милливатт до десятков ватт.

Гетеролазер в отличие от традиционного лазера, выполненного из однородного материала, имеет в десятки раз меньшую пороговую плотность тока и в больший КПД. Для генерации светового излучения требуются малые значения тока накачки. Гетеролазер может непрерывно генерировать световое излучение при комнатной температуре.

 

Примечание: © Фото https://www.pexels.com, https://pixabay.com, http://100-bal.ru/fizika/222407/index.html

 





карта сайта