Ваше сообщение отправлено. Мы Вам перезвоним!
Вторая индустриализация России

Перезвоните мне!

Закрыть
Главная » Прорывные технологии » Производство машин и оборудования » Установки для выращивания монокристаллов

Установки для выращивания монокристаллов

  • Array

Установки для выращивания монокристаллов.

 

Звони: +7-908-918-03-57 или Написать нам

 

Описание:

Установки для выращивания монокристаллов представлены целой серией установок.

Установки для выращивания монокристаллов предназначены для выращивания таких монокристаллов как теллурид кадмия, арсенид индия и галия, антимонид индия, германия, кремния, сапфир, алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ниобат лития, молибдат гадолиния, лангасит, ванадаты редкоземельных металлов, силикат и германат висмута и многих других.

 

Установка для выращивания монокристаллов соединений на основе теллурида кадмия методом движущегося нагревателя:

Кристаллы соединений на основе теллурида кадмия выращиваются в специально изготовленной герметичной ампуле, содержащей исходные материалы. Ампула устанавливается на шток механизма перемещения, который позволяет перемещать ампулу вертикально вверх/вниз на рабочей и ускоренной скоростях вдоль оси теплового узла.  В процессе роста ампула не видна. Вся информация о ходе процесса приходит от датчиков. Время одного процесса около 300 часов.

Метод движущегося нагревателя заключается в том, что в ростовую ампулу загружают затравочный кристалл, на него помещают слиток, при расплавлении которого формируется жидкая зона раствора-расплава на основе теллура, в верхней части помещается поликристаллическая заготовка теллурида кадмия. При перемещении ампулы вниз происходит растворение поликристаллической заготовки, диффузия растворенного соединения через жидкую зону раствора-расплава и кристаллизация соединения на затравочном кристалле.

 

Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов соединений на основе теллурида кадмия:

Тепловой узел размещен внутри герметичной камеры
Тепловой узел включает 3 тепловые зоны и обеспечивает возможность выращивания кристаллов диаметром до 80 мм
Температура средней (основной)  тепловой зоны, в интервале °С 700…950
Температура нижней и верхней подпорных тепловых зон, в интервале °С 200…400
Число регулируемых зон нагрева (всего / резервных) 4 / 1
Температурный профиль нагревателя обеспечивает градиент температуры в интервале 30…50 град/см в области затравочного кристалла
Нестабильность температуры по оси температурного профиля, °С 0.5
Пульт управления выполнен с использованием программируемых микроконтроллеров для управления 4-мя зонами нагревателя и возможностью подключения к персональному или промышленному компьютеру
Перемещение штока по вертикали:
 - рабочая скорость, мм сут-1 5…25
 - маршевая скорость, мм мин-1 0,115…115
 - величина хода, мм 350
Частота вращения штока, об мин-1 1…60
Нестабильность вращения валов эл. дв., не более % 0,5
Допустимое биение ампулы при вращении – не более 5 мм в радиальном направлении
Возможность откачки рабочего объема (форвакуум) и напуска инертного газа (аргон)
Установочная мощность тепловых зон, Вт 1000
Общая мощность, кВт 4
Максимальный ток зоны нагрева, А 100
Индицируемые параметры:
 - сигналы датчиков температуры зон
 - скорость перемещения штока
 - положение штока
 - частота вращения штока
Габаритные размеры, мм (не более)
 - Печной агрегат:
    - высота 2565
    - ширина 1000
    - глубина 850
Масса, кг (не более)
 - Печной агрегат  1000
 - Стойка управления  300
Напряжение питающей сети, В  380/220
Частота питающей сети, Гц  50
Расход охлаждающей воды, м3 \час  2,0

 

Установка для выращивания монокристаллов арсенида индия и галлия:

Установка предназначена для выращивания монокристаллов арсенидов индия InAs и галлия GaAs под давлением инертного газа с последующим отжигом выращенного кристалла.

 

Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов арсенида индия и галлия:

Максимальные размеры тигля, мм:
 - диаметр 230
 - высота 200
Способ нагрева резистивный
Материал нагревателя графит
Высота нагревателя, мм 400
Максимальная температура, ˚С на нагревателе 1400
Точность регулирования температуры, ˚С 0,1
Среда в камере печи
 - предельный вакуум, мм.рт.ст. 1*10-4
 - избыточное давление инертного газа, атм. 10-20
Устройство перемещения верхнего штока:
 - Скорость вращения привода верхнего штока, об/мин 0-30
- Скорость перемещения привода верхнего штока, рабочая, мм/мин 0-0,5
 - Скорость ускоренного перемещения привода верхнего штока, мм/мин 100
 - Ход штока затравки, мм 600
 Устройство перемещения тигля:
 - Величина перемещения тигля, мм 200
 - Скорость вращения привода тигля, об/мин 0-20
 - Скорость перемещения привода нижнего штока, рабочая, мм/мин 0-0,5
 - Скорость ускоренного перемещения привода нижнего штока, мм/мин 70
 Тепловой узел установки:
 Верхняя зона:
 - Температура нагревателя верхней зоны, ˚С 1200
 - Потребляемая мощность нагревателем верхней зоны, кВт 20
 - Точность поддержания температуры ±0,1
Средняя Зона:
 - Температура на нагревателе, ˚С 1400
 - Потребляемая мощность, не более, кВт 60
 - Точность поддержания температуры ±0,1
 Нижняя зона:
 - Температура на нагревателе, ˚С 1200
 - Потребляемая мощность, не более, кВт  20
 - Точность поддержания температуры ±0,1

 

Установка для выращивания монокристаллов антимонида индия:

Установка предназначена для плавления, синтезирования и выращивания монокристаллов антимонидов индия InSb с последующим отжигом выращенного кристалла.

 

Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов антимонида индия:

Максимальные размеры тигля, мм: — диаметр 135
 - высота 70
Способ нагрева резистивный
Материал нагревателя графит
Высота нагревателя, мм 180
Максимальная температура, ˚С на нагревателе 1200
Точность регулирования температуры, ˚С 0,1
Среда в камере печи:- предельный вакуум, мм.рт.ст. 1*10-5
 - проток инертного или горячего газа, л/час 1-100
Скорость вращения привода верхнего штока, об/мин 0-50
Скорость перемещения привода верхнего штока, рабочая, мм/ч 0-50
Скорость перемещения привода верхнего штока, маршевая, мм/мин 200
Привод перемещения тигля:
 - Величина перемещения привода тигля, мм 200
 - Скорость вращения привода тигля, об/мин 0-20
Электропитание:
 — нагреватель однофазный
 - частота, гц 50

 

Малогабаритная установка выращивания монокристаллов:

Малогабаритная установка предназначена для выращивания монокристаллов германия, кремния, антимонидов галлия и индия в автоматическом режиме (кроме затравления) из тигля Ø102х100 мм и для проведения исследовательских работ.

 

Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов германия, кремния и пр.:

Максимальные размеры тигля:
 - диаметр, мм  102
 - высота, мм  100
Способ нагрева  резистивный
Материал нагревателя  графит
Предельная температура, °С  1650
Точность регулирования температуры,°С  ± 5
Среда в камере печи — вакуум ( в чистой сухой камере), мм.рт.ст  5х10-5
Скорость перемещения верхнего штока, мм/мин:
 - рабочая  0,1-8
 - маршевая  150
Величина перемещения верхнего штока, мм  400
Частота вращения верхнего штока, об/мин  1-30
Электропитание:
 - нагреватель  однофазный
 - частота, Гц  50
Расход охлаждающей воды, м3/час  1
Давление воды, МПа  0,3

 

Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов сапфира, алюмоиттриевого граната, танталата лития и пр. способом Чохральского:

Многофункциональная установка НИКА-3 предназначена для выращивания широкой гаммы тугоплавких оксидных монокристаллов способом Чохральского, таких как сапфир, алюмоиттриевый гранат, танталат лития, ниобат лития, молибдат гадолиния, лангасит, ванадаты редкоземельных металлов, силикат и германат висмута и многих других.

 

Технические характеристики установки для выращивания монокристаллов сапфира, алюмоиттриевого граната, танталата лития и пр.:

Температура плавления до 2100О С
Диаметр тигля для расплава до 150 мм (в зависимости от типа выращиваемого кристалла)
Масса выращиваемого кристалла до 4 кг; 8 кг
Диапазон измерения датчика веса до 5 кг; 10кг
Чувствительность датчика веса не менее 0,02 г; 0,04 г
Рабочий ход верхнего штока 550 мм
Скорость перемещения верхнего штока:
рабочая от 0,1 до 120,0 мм/ч
ускоренная от 0,5 до 150,0 мм/мин
Скорость вращения верхнего штока 1-100 об/мин
Рабочий ход нижнего штока 200 мм
Тип преобразователя транзисторный (IGBT технология)
Выходная мощность преобразователя 40 кВт; 100 кВт
Диапазон использования выходной мощности преобразователя частоты от 1 до 100 % от используемой
Коэффициент полезного действия не ниже 93%
Допустимое отклонение выходной мощности преобразователя частоты от установленной ± 0,05%
Давление инертного газа в камере не более 1,5х105Па
Предельный форвакуум в ростовой камере при выключенном индукторе не более 2,6 Па
Потребляемая мощность установки (без преобразователя частоты) не более 3 кВт
Давление охлаждающей воды от 200 кПа до 250 кПа

 



отдел технологий

г. Екатеринбург и Уральский федеральный округ

Звони: +7-908-918-03-57



или пиши нам здесь...

карта сайта

выращивание монокристаллов
методы выращивание монокристаллов
установка выращивания монокристаллов
установка выращивания кристаллов
выращивание монокристаллов кремния
выращивание монокристаллов в домашних условиях
ростовые установки для выращивания монокристаллов
ищу работу по выращиванию монокристаллов
методы выращивания объемных монокристаллов
метод чохральского выращивание монокристаллов
выращивание монокристаллов по чохральскому
оборудование выращивания монокристалл сапфир цена
гексагональный диоксид германия выращивание монокристаллов
метод вернейля выращивание монокристаллов
ростовые установки для выращивания монокристаллов методом vgf
установка для выращивания монокристаллов йодистого цезия
земсков виктор сергеевич выращивание монокристаллов в невесомости

 

Еще технологии:

comments powered by HyperComments
Оставляя комментарии на сайте «Вторая индустриализация России», я подтверждаю, что согласен с условиями пользования сервисом HyperComments и Политикой сайта «Вторая индустриализация России» в отношении обработки персональных данных.