Магнетронное распыление

Магнетронное распыление – технология и установки.

 

Поделиться в:

 

Магнетронное распыление – технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью катодного распыления мишени в плазме магнетронного разряда — диодного разряда в скрещенных полях. Напыление металлов и сплавов производят в среде инертного газа, как правило, аргона.

 

Описание

Преимущества

Применение

 

Описание:

Магнетронное распыление  технология нанесения тонких плёнок на подложку с помощью катодного распыления мишени в плазме магнетронного разряда — диодного разряда в скрещенных полях. Технологические устройства, предназначенные для реализации этой технологии называют магнетронными распылительными системами или, сокращённо, магнетронами.

Напыление металлов и сплавов производят в среде инертного газа, как правило, аргона.

Принцип магнетронного распыления основан на образовании над поверхностью катода кольцеобразной плазмы в результате столкновения электронов с молекулами газа (чаще всего аргон). Мишень устройства магнетронного распыления является источником распыляемого материала. Положительные ионы, образующиеся в разряде, ускоряются в направлении катода – мишени, бомбардируют его поверхность, выбивая из неё частицы материала.

Тяжелый ион аргона (белый шарик) разгоняется в электрическом поле и выбивает из мишени атом материала (красный шарик), который высаживается на поверхности подложки, образуя на ее поверхности пленку.

Покидающие поверхность мишени частицы осаждаются в виде плёнки на подложке, а также частично рассеиваются на молекулах остаточных газов или осаждаются на стенках рабочей вакуумной камеры.

Магнетронное распыление

При столкновении ионов с поверхностью мишени происходит передача момента импульса материалу. Падающий ион вызывает каскад столкновений в материале. После многократных столкновений импульс доходит до атома, расположенного на поверхности материала, который отрывается от мишени и высаживается на поверхности подложки. Среднее число выбитых атомов на один падающий ион аргона называют эффективностью процесса, которая зависит от угла падения, энергии и массы иона, массы испаряемого материала и энергии связи атома в материале. В случае испарения кристаллического материала эффективность также зависит от расположения кристаллической решетки.

Магнетронное распыление

Для эффективной ионизации аргона, распыляемый материал(мишень) размещают на магните. В результате эмиссионные электроны, вращающиеся вокруг магнитных силовых линий локализуются в пространстве и многократно сталкиваются с атомами аргона, превращая их в ионы.

При бомбардировке поверхности мишени ионами генерируются несколько процессов:

  • – ионное(катодное) распыление материала мишени,
  • – вторичная электронная эмиссия,
  • – десорбция газа,
  • – имплантация дефектов,
  • – ударная волна,
  • – аморфизация.

Магнетронное распыление позволяет получать высокую плотность ионного тока, а значит, и высокие скорости распыления при относительно низких давлениях порядка 0,1 Па и ниже.

 

Преимущества:

– покрытия полученные данным способом характеризуются высокой равномерностью, относительно низкой пористостью и высоким уровнем адгезии к подложке,

 возможность нанесения покрытия сложного состава,

– возможность наносить покрытия на большие площади,

 относительно дешевый метод осаждения,

– низкие температуры подложки,

 хорошая однородность покрытия,

– хорошая управляемость,

 возможность нанесения нескольких покрытий в одном технологическом цикле.

 

Применение:

– в электронике: для осаждения тонких пленок, полупроводников, диэлектриков, металлов,

– в оптике: для нанесения проводящих, отражающих, поглощающих покрытий,

– в машиностроении: для нанесения специальных покрытий, улучшающих свойства используемых материалов,

– в легкой промышленности: для получения металлизированных тканей.

 

реактивное магнетронное распыление установка тонких пленок металлов аморфные сплавы
вакуумные установки метод мишень для магнетронного распыления
аргон в магнетронном распылении
метод магнетронного распыления для полимеров
магнетронное напыление ассестированное катодным распылением
мишень для магнетронного распыления молибденовая круглая